SK海力士重启中国NAND闪存生产基地，小摩预警存储短缺还将持续两年，科创芯片设计ETF浦银(589250）早盘飘红

【SK海力士重启中国NAND闪存生产基地，小摩预警存储短缺还将持续两年，科创芯片设计ETF浦银(589250）早盘飘红】

8月12日，A股主要股指小幅上扬，芯片板块走强。

截至9:41，科创芯片设计ETF浦银(589250)上涨0.16%。指数成分股中，聚辰股份涨2.08%、普冉股份涨2.05%、思瑞浦涨2.01%、纳芯微涨1.63%、澜起科技涨1.36%，盛科通信-U跌2.51%、杰华特跌2.21%、新相微跌2.17%、芯原股份跌2.09%、恒玄科技跌1.5%。

Wind数据显示，截至前一交易日，科创芯片设计ETF浦银(589250）近一月合计净流入1665.41万元

消息面上，据报道，SK海力士重启了中国大连NAND闪存生产基地2号工厂的建设，将产能扩大约50%。SK海力士计划在今年年底前引入半导体生产设备，并于明年上半年正式投产。早前，SK海力士表示，将投资384亿美元在韩国本土扩张芯片业务。

AI需求旺盛，三大存储半导体制造商（三星电子、SK海力士、美光）近日提前完成2027年的一般DRAM与HBM分配谈判，产能已然售罄。

摩根大通则预计，存储芯片短缺还将持续两年。该行估算，市场大约需要额外增加每月30万片DRAM晶圆投片产能和4.5万片NAND晶圆投片产能，才能在2028年前实现供需平衡。

科创芯片设计ETF浦银(589250）紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数（950162），高度聚焦50只科创板芯片设计上市公司，其中数字芯片设计权重占比近八成。规避了半导体材料设备、制造、封测等环节，在芯片板块环节中，相较半导体材料指数估值较低，更契合产业发展趋势。

弹性方面，上证科创板芯片设计主题指数只包含科创板的芯片设计公司，成分股单日涨跌幅为±20%，弹性更大、进攻性更强。

成长性方面，科创芯片设计ETF浦银(589250)跟踪上证科创板芯片设计主题指数，在2024年1月5日-2026年3月30日期间，标的指数累计上涨141.86%，是涨幅第一的芯片行业主题指数，高于科创芯片（133.60%）、中证全指半导体（97.77%）和半导体材料设备（98.39%）。

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