英伟达新一代AI芯片平台Vera Rubin量产，科创芯片设计ETF浦银(589250）早盘涨超1%，昨日吸金超1000万

6月2日，主要股指涨跌互现，芯片板块走强。截至9:37，科创芯片设计ETF浦银(589250）涨1.15%；样本股中，芯海科技、新相微涨超6%，寒武纪、盛科通信涨超4%，杰华特、思瑞浦、海光信息等飘红；该基金昨日吸金超1000万。

Wind数据显示，截至前一交易日，科创芯片设计ETF浦银(589250）跟踪的上证科创板芯片设计主题指数近1年涨102.98%。

6月1日，英伟达GTC大会在中国台北举行。CEO黄仁勋宣布，新一代AI超级芯片平台Vera Rubin已全面量产，预计今年秋季发货。该平台采用美光、SK海力士和三星的HBM（高带宽内存），提供机柜级（POD）一体化AI工厂底座。它并非单一芯片，而是涵盖计算、网络、存储及软件的完整AI基础设施系统。与上一代Grace Blackwell相比，其大规模智能体吞吐量大幅提升10倍。

信达证券研报指出，Vera Rubin下半年量产发货，Vera CPU独立开辟2000亿美元新市场。Vera Rubin的量产发货标志着英伟达产品周期从Blackwell向下一代平滑过渡，而Vera CPU作为独立产品线的推出，有望为公司打开数据中心CPU这一全新增长极，进一步巩固英伟达在AI基础设施全栈的主导地位。

科创芯片设计ETF浦银(589250）紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数（950162），高度聚焦50只科创板芯片设计上市公司，其中数字芯片设计权重占比近八成。规避了半导体材料设备、制造、封测等环节，在芯片板块环节中，相较半导体材料指数估值较低，更契合产业发展趋势。

弹性方面，上证科创板芯片设计主题指数只包含科创板的芯片设计公司，成分股单日涨跌幅为±20%，弹性更大、进攻性更强。

成长性方面，科创芯片设计ETF浦银(589250)跟踪上证科创板芯片设计主题指数，在2024年1月5日-2026年3月30日期间，标的指数累计上涨141.86%，是涨幅第一的芯片行业主题指数，高于科创芯片（133.60%）、中证全指半导体（97.77%）和半导体材料设备（98.39%）。

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