东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率

东芝宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。

随着生成式AI的快速发展，功耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流（HVDC）架构部署的增加，推动了市场对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。针对下一代人工智能数据中心的这些需求，东芝开发了TW007D120E，该产品将有助于降低功耗，并实现电源系统的小型化和更高效率。

TW007D120E采用东芝专有的沟槽栅结构[1]，实现了业界领先[2]的单位面积低导通电阻（RDS(on)A）；其通过更低的导通电阻降低导通损耗，同时实现更低的开关损耗。与东芝现有产品相比，TW007D120E将RDS(on)A降低了约58%[3]，品质因数（导通电阻×栅漏电荷，即RDS(on)×Qgd，代表导通损耗和开关损耗之间的平衡）提高了约52%[3]。这些特性将帮助数据中心电源系统实现高效运行并减少发热，从而提升整体系统效率。

这有助于提高功率密度并增强功率级的散热性能，这对下一代AI数据中心的功率转换至关重要。

东芝计划在2026财年实现TW007D120E的量产，并将继续拓展其产品线，包括面向汽车应用的产品开发。凭借这款沟槽栅SiC MOSFET，东芝将助力数据中心及各类工业设备提升能效、降低二氧化碳排放，为低碳社会的实现做出贡献。

TW007D120E基于JPNP21029项目取得的成果，该项目由日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）资助。

应用：

• 数据中心电源（AC-DC、DC-DC）
• 光伏逆变器
• 不间断电源（UPS）
• 电动汽车充电站
• 储能系统
• 工业电机
• 特性：
• 低导通电阻和低RDS(on)A
• 低开关损耗和低RDS(on)×Qgd
• 较低的栅极驱动电压：VGS_ON＝15V至18V
• 高热性能QDPAK封装
• 主要规格：

（除非另有说明，Tvj＝25°C）

注：开发中产品的规格和时间计划如有变更，恕不另行通知。

性能对比图表

新产品TW007D120E与现有产品TW015Z120C在RDS(ON)A和RDS(ON)×Qgd方面的对比

测试条件：VGS＝18V（TW015Z120C），VGS＝15V（TW007D120E），Tvj＝25°C。截至2026年5月的东芝调研。

注：

[1]在半导体衬底中形成微细沟槽，并将栅电极嵌入沟槽内部的器件结构。

[2]截至2026年5月的东芝调研。

[3]新开发的1200V SiC MOSFET与东芝第三代SiC MOSFET（TW015Z120C）的比较。截至2026年5月的东芝调研。

*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

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