科创芯片设计ETF国联安(588780)强势翻红，半日换手率超18%，半导体ETF国联安半日成交额超16亿

截至5月19日中午收盘，A股三大指数探底回升，存储芯片板块强势翻红，市场成交额持续放大，资金博弈意愿仍处高位。科创芯片设计ETF国联安(588780)涨0.35%，半日换手率超18%，成交额超2亿元，市场交投活跃；权重股，盛科通信-U涨6.04%、芯原股份涨7.92%、晶晨股份涨8.55%、寒武纪涨1.56%。

半导体ETF国联安(512480)涨0.73%，半日换手率近9%，成交额超16亿元，成分股寒武纪涨1.56%，北方华创涨2.6%，中微公司涨7.05%，芯原股份涨7.92%。

截至前一交易日，科创芯片设计ETF国联安（588780）近一月涨幅24.23%，近一年涨幅116.09%，过往表现突出。该基金近5日“吸金”超4500万元，近10日“吸金”超1.2亿元；近一月日均成交额2.6亿元，排名同类第一，场内交投活跃、流动性强。

半导体ETF国联安（512480）近一月涨幅26.41%，近三月涨幅24.35%，近六月涨幅45.85%，近一年涨幅101.17%。截至前一交易日，该基金近一月日均成交额17.9亿元，排名同类第一，场内交投活跃、流动性强。

消息面上，全球AI算力基础设施建设驱动下，存储芯片正经历本世纪以来最强劲的超级上行周期。

TrendForce数据显示，2026年全球生产的内存中高达70%将被数据中心消耗，预计到2028年的产能已被预订。价格方面，2026年第一季度DRAM合约价环比暴涨90%—95%，第二季度仍维持58%—63%的涨幅预期，国内存储产业链景气度有望在更长周期内延续。

产业端景气验证信号密集。国内晶圆代工双雄中芯国际与华虹公司2026年一季报营收、净利双增；长鑫科技同样上演中国科技史上最惊人的财务逆袭：2026年上半年净利润预计最高570亿，日赚近4亿，估值直指万亿，DRAM国产替代与产能扩张的逻辑正在全面兑现。

交银国际认为，当前全球存储芯片行业正经历本世纪以来最强劲的上行周期，周期强度高于此前几轮上行周期，上行周期至少将持续至2027年第一季度。

科创芯片设计ETF国联安(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比超九成，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF国联安(588780)是跟踪同指数的产品中，成立时间最早、规模最大的产品。

此外，半导体ETF国联安(512480)备受市场关注，是目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF，一键布局中国半导体全产业链更均衡。场外联接(A类：007300；C类：007301)。

风险提示：以上所有信息仅作为参考，不构成投资建议，一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险，入市需谨慎。

注：“成立最早、规模最大”指截至2026.4.30，科创芯片设计ETF国联安为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中，成立时间最早、规模最大的产品。