科创芯片设计ETF广发(589210)半日涨超3%，创4周新高！成分股佰维存储涨超5%

4月10日，存储芯片概念股大涨，个股方面，信宇人20cm涨停，睿能科技、沃格光电2天2板。在全球芯片供应持续紧张与上市公司业绩大幅预增的双重提振下，芯片板块迎来新一轮爆发。

全球芯片股走强，隔夜美股市场，费城半导体指数涨2.1%，30只成分股中28家收涨；存储概念股龙头大涨，闪迪涨9.05%，希捷科技涨0.9%，双双收于历史新高。Rambus涨4.09%，美光科技涨3.63%。

全球AI服务器带动DRAM需求激增，单台需求为传统服务器8至10倍，三星、SK海力士、美光三大厂商将产能转向HBM与高端DDR5，导致消费级DRAM供给锐减，一季度均价已翻倍，二季度预计再涨30%，累计涨幅超130%。TrendForce预测Q2消费级DRAM价格将季增45%~50%。

全球存储芯片行业利润大幅增长，三星电子日前披露2026年一季度财报，营业利润飙升755%。A股多家存储芯片公司披露2025年财报，香农芯创、德明利等公司营业收入翻倍式增长。此外，全球存储晶片巨头SK海力士将于本月下旬公布首季业绩，花旗预计其一季度营业利润将达39.1万亿韩元，同比增长426%。

国泰海通证券指出，芯片设计正迎来算力爆发、架构革新与生态闭环三大趋势。特斯拉启动太瓦级芯片制造计划，阿里发布高性能RISC-VCPU，推动开源架构在AI领域落地。未来芯片将聚焦高能效比与端云协同，定制化场景如机器人、自动驾驶成为创新重点。

瑞银最新研报认为， AI驱动的HBM需求持续蚕食DDR产能，叠加传统服务器换机周期与存储SSD需求的同步爆发，全球DRAM市场的供需缺口将延续至2027年第四季度，是近三十年来未曾出现过的存储超级周期。

截至午盘，科创芯片设计ETF广发(589210)大涨2.42%，创近4周新高！权重股中，佰维存储涨超5%，芯原股份、瑞纳微创涨超4%，澜起科技、晶晨股份涨超3%。

科创芯片设计ETF广发(589210)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，聚焦科创板芯片设计上市公司，相较于同类科创芯片指数，设计含量更加“纯粹”！并且，科创板成分股单日涨跌幅为±20%，弹性更大、进攻性更强。

在2024年1月5日-2026年3月30日期间，上证科创板芯片设计主题指数累计上涨141.86%，是涨幅第一的芯片行业主题指数，高于科创芯片（133.60%）、中证全指半导体（97.77%）和半导体材料设备（98.39%）。

一键布局科创芯片设计ETF广发(589210)，把握存储超级周期与芯片设计爆发机遇，高弹性品种助力抢占先机！